| 发明名称 |
PROCEDE ET SYSTEME D'OBTENTION D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE |
| 摘要 |
<p>La présente invention a notamment pour objet un procédé d'obtention d'une tranche semi-conductrice autoporteuse (500) à partir d'un substrat donneur (100) fait d'un premier matériau semi-conducteur et comprenant dans son épaisseur une zone de fragilisation (210), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend : - le dépôt d'une couche intermédiaire (300) d'un deuxième matériau semi-conducteur sur une face (101) du substrat donneur (100); - l'apport d'un troisième matériau semi-conducteur (400) en fusion sur la couche intermédiaire (300) pour former une couche additionnelle ; - la séparation (510) du substrat donneur (100) au niveau de la zone de fragilisation (210) pour former une tranche autoporteuse (500) comprenant une portion (110) du substrat donneur (100), la couche intermédiaire (300) et la couche additionnelle.</p> |
| 申请公布号 |
FR2991499(A1) |
申请公布日期 |
2013.12.06 |
| 申请号 |
FR20120055016 |
申请日期 |
2012.05.31 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES |
发明人 |
PENOT JEAN-DANIEL;GARANDET JEAN-PAUL;MORICEAU HUBERT |
| 分类号 |
H01L21/203;H01L21/762;H01L31/042 |
主分类号 |
H01L21/203 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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