Vertikaler Leistungs-MOSFET und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Eine Vorrichtung umfasst eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, und einen ersten und einen zweiten Body-Bereich über der Halbleiterschicht, wobei der erste und der zweite Body-Bereich einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist. Ein dotierter Halbleiterbereich des ersten Leitfähigkeitstyps ist zwischen dem ersten und dem zweiten Body-Bereich angeordnet und kontaktiert diese. Eine dielektrische Gate-Schicht ist über dem ersten und dem zweiten Body-Bereich und dem dotierten Halbleiterbereich angeordnet. Eine erste und eine zweite Gate-Elektrode sind über der dielektrischen Gate-Schicht angeordnet und überlappen den ersten bzw. den zweiten Body-Bereich. Die erste und die zweite Gate-Elektrode sind über eine Lücke physikalisch voneinander getrennt und elektrisch miteinander verbunden. Die Lücke zwischen der ersten und der zweiten Gate-Elektrode überlappt den dotierten Halbleiterbereich.