EEPROM MEMORY CELL AS A MEMRISTIVE COMPONENT

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine EEPROM-Speicherzelle mit Floating-Gate (6), die als memristives Bauelement so konfiguriert ist, dass sie die Strom-Spannungs-Charakteristik eines Memristors durch eine reduzierte Beschaltung der EEPROM-Zelle annimmt, indem das Control-Gate (1) mit dem Source (3) verbunden wird und auf ein gemeinsames Potenzial mit- tels des so entstandenen Control-Gate- Anschlusses (8) gelegt wird (z. B. Massepotential, V = 0 Volt). Dies reduziert das ursprüngliche Dreipolbauelement zu einem Zweipolbauelement. Durch das Anlegen einer bipolaren Spannung am Drain-Anschluss (9) der reduzierten EEPROM-Zelle entsteht ein neues Bauelement, das sich in seiner u-i-Charakteristik wie ein memristives Bauelement, das als passives elektronisches Zweipolbauelement eingestuft ist, verhält. Der jeweilige zuletzt eingenommene Kanalwiderstandswert bleibt aufgrund des Floating-Gates (6) in der EEPROM-Zelle auch dann erhalten, wenn an den Anschlüssen (9) und (8) keine äußere Spannung mehr anliegt.