发明名称 Licht absorbierende Schichtstruktur
摘要 Bekannt sind Licht absorbierende, für einen Betrachter undurchlässig erscheinende Schichtstrukturen, die eine dem Betrachter zugewandte vordere Schichtlage aus einer Matrix aus dielektrischem Metalloxid mit darin eingebetteten Partikeln aus elektrisch leitfähigem Werkstoff in einer ersten mittleren Konzentration, und eine dem Betrachter abgewandte hintere Schichtlage aus einer Matrix aus dem Metalloxid und darin eingebetteten Partikeln aus dem elektrisch leitfähigen Werkstoff in einer zweiten mittleren Konzentration, die höher ist als die erste mittlere Konzentration umfassen. Um Schichtstrukturen mit geringen Wechselwirkungen mit elektronischen Bauteilen und Signalleitungen anzugeben, die sich vorzugsweise durch DC-Sputtern herstellen lassen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass das Metalloxid Nioboxid, Titanoxid, Molybdänoxid, Wolframoxid oder Vanadiumoxid enthält.
申请公布号 DE102012010803(A1) 申请公布日期 2013.12.05
申请号 DE20121010803 申请日期 2012.06.01
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG 发明人 SCHNEIDER-BETZ, SABINE;KASTNER, ALBERT;SCHULTHEIS, MARKUS;WAGNER, JENS;SCHLOTT, MARTIN;DEWALD, WILMA;SZYSZKA, BERND
分类号 G02B1/02;C03C17/34;G02B1/10 主分类号 G02B1/02
代理机构 代理人
主权项
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