| 摘要 |
Ein Aluminiummaterial kann auf einer Oberfläche der Elektrode eines Halbleiterelements verwendet werden, wobei diese Aluminiumschicht nicht unnötig dick gebildet werden muss, und ein Kupferdraht fest mit dem Halbleiterelement verbunden ist, unabhängig von einem Durchmesser des Drahts, und eine hohe Hitzewiderstandsfähigkeit erreicht werden kann. Siliziumkarbid (SiC) wird als ein Substrat des Halbleiterelements 10 verwendet, die Titanschicht 20 und die Aluminiumschicht 21 sind als die Elektrode 15 auf dem Siliziumkarbidsubstrat gebildet, und durch ein Ballverbinden oder ein Keilverbinden des Kupferdrahts 16 mit der Aluminiumschicht 21 der Elektrode 15, während eine Ultraschallwelle angelegt wird, wird die Kupferaluminiumverbindungsschicht 23 (Al4Cu9, AlCu oder ähnliches) zwischen dem Kupferdraht 16 und der Titanschicht 20 gebildet. |
