晶片封装体及其形成方法

摘要

一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一半导体基底；一第二半导体基底，设置于该第一半导体基底之上，其中该第二半导体基底包括一下半导体层、一上半导体层、及位于该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且部分的该下半导体层电性接触该第一半导体基底上的至少一接垫；一信号导电结构，设置于该第一半导体基底的一下表面之上，该信号导电结构电性连接该第一半导体基底上的一信号接垫；以及一导电层，设置于该第二半导体基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该第一半导体基底上的该至少一接垫电性接触的该部分。本发明的晶片封装体的下表面上的导电凸块的分布密度可得到舒缓。

主权项

一种晶片封装体，其特征在于，包括：一第一半导体基底；一第二半导体基底，设置于该第一半导体基底之上，其中该第二半导体基底包括一下半导体层、一上半导体层、及位于该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且部分的该下半导体层电性接触该第一半导体基底上的至少一接垫；一信号导电结构，设置于该第一半导体基底的一下表面之上，该信号导电结构电性连接该第一半导体基底上的一信号接垫；以及一导电层，设置于该第二半导体基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该第一半导体基底上的该至少一接垫电性接触的该部分。