用于信号放大的具有双栅极生物场效应晶体管的系统和方法

摘要

本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的或者是典型的CMOS工艺的一个或多个工艺步骤形成BioFET。该BioFET器件可以包括衬底；设置在衬底的第一表面上的栅极结构和在衬底的第二表面上形成的界面层。界面层可以允许受体被放置在界面层上以检测存在的生物分子或生物实体。BioFET器件的放大因数可以由与第一表面上的栅极结构相关的电容和与第二表面上形成的界面层相关的电容的差值提供。本发明还提供了一种用于信号放大的具有双栅极生物场效应晶体管的系统和方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，具有源极区域、沟道区域和漏极区域；第一栅极结构，设置在所述衬底的第一表面上，所述第一栅极结构包括导电层和第一介电层；以及第二栅极结构，设置在所述衬底的第二表面上，所述第二栅极结构包括第二介电层，其中，所述源极区域、所述沟道区域和所述漏极区域从所述第一表面延伸到所述第二表面。