发明名称 用于集成电路上的单片功率闸控的装置
摘要 一种功率闸控装置包括具有第一电压基准面和第二电压基准面的集成电路封装,以及包括电路块和开关块的集成电路。可以将第一和第二电压基准面彼此电隔离。开关块可以包括以围绕电路块的环形布置的多个开关。可以将第一电压基准面电耦合在外部电压基准与多个开关之间,并且可以将第二电压基准面电耦合在多个开关与电路块之间。第二电压基准面还可以将电流遍布地分配在电路块上。此外,每个开关配置成响应于控制信号而中断第一基准电压面与电路块之间的电路径。
申请公布号 CN103430304A 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201180052304.7 申请日期 2011.10.25
申请人 超威半导体公司 发明人 塞缪尔·D·纳夫齐格;布鲁斯·吉泽克;本杰明·贝克尔
分类号 H01L23/50(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I 主分类号 H01L23/50(2006.01)I
代理机构 上海胜康律师事务所 31263 代理人 李献忠
主权项 一种装置,其包括:集成电路封装,所述集成电路封装包括第一电压基准面和第二电压基准面,其中所述第一和第二电压基准面彼此电隔离;以及集成电路晶片,所述集成电路晶片包括:电路块;以及开关块,所述开关块包括以围绕所述电路块的环形布置的多个开关;其中所述第一电压基准面电耦合在外部电压基准与所述多个开关之间,且所述第二电压基准面电耦合在所述多个开关与所述电路块之间,其中所述第二电压基准面配置成将电流遍布地分配在所述电路块上;并且其中每个开关配置成响应于控制信号而中断所述第一基准电压面与所述电路块之间的电路径。
地址 美国加利福尼亚州