一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。

主权项

一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤10，在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上旋涂PMGI光刻胶层，将芯片进行烘片；步骤20，在步骤10中旋涂的PMGI光刻胶层上继续旋涂AZ5214E反转光刻胶层，将芯片进行烘片，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；步骤30，通过两步显影形成金属场板层图案，具体包括如下步骤：先用AZ显影液去掉所需场板层图案部分的AZ5214E反转光刻胶，再将芯片放置在120℃烘箱内烘片4分钟，用CD26显影液去掉所需场板层图案部分的PMGI光刻胶，从而形成金属场板层图案；步骤40，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离，得到所需的场板金属。