| 发明名称 | 半导体器件和该器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件和该器件的制造方法。该半导体器件包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括衬底中的N沟道区。高介电常数（高k）层设置在N沟道区上。包括金属氧化物的扩散层设置在该高k层上。钝化层设置在该扩散层上，第一金属栅极设置在该钝化层上。该高k层和N沟道区包括金属氧化物的金属元素的金属原子。 | ||
| 申请公布号 | CN103426928A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310176515.2 | 申请日期 | 2013.05.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金柱然 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 弋桂芬 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括：第一高介电常数层，设置在衬底上；包括金属氧化物的扩散层，设置在该第一高介电常数层上；钝化层，设置在该扩散层上；以及第一金属栅极，设置在该钝化层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||