| 发明名称 | 一种存储材料及其在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用 | ||
| 摘要 | 一种非易失性电荷俘获型存储器件中的电荷存储材料，所述存储材料为混合氧化物材料，(CuO)x(Al2O3)1-x混合氧化物，x取值为0.1-0.8；所述电荷存储材料在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用，非易失性电荷俘获型存储器件的结构为半导体基片上顺序生长隧穿层Al2O3/存储层薄膜(CuO)X(Al2O3)1-x/阻挡层Al2O3，(CuO)x(Al2O3)1-x为存储层，电荷存储材料(CuO)X(Al2O3)1-x通过退火得到的CuO纳米微晶起到存储介质材料的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN103426920A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310392148.X | 申请日期 | 2013.09.02 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 卢伟;徐波;夏奕东;殷江;刘治国 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 一种非易失性电荷俘获型存储器件中的电荷存储材料，其特征是所述存储材料为混合氧化物材料，(CuO)x(Al2O3)1‑x混合氧化物，x取值为0.1‑0.8，尤其是0.3‑0.6。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||