| 发明名称 | 双RESURF LDMOS器件 | ||
| 摘要 | 一种双RESURF LDMOS器件，包括：布置在衬底表面的漏极阱区；布置在衬底表面的与漏极阱区邻接并且相对于漏极阱区对称布置的第一源极阱区和第二源极阱区；布置在漏极阱区表面位置的漏极接触区；布置在漏极阱区表面与漏极接触区邻接并且相对于漏极接触区对称布置的第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域；布置在漏极阱区中并且分别布置在第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域下方的第一掩埋区域和第二掩埋区域；布置在第一源极阱区表面的具有第二掺杂类型的第一源极接触区；布置在第二源极阱区表面的第二源极接触区；布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第一源极阱区上方的第一栅极；以及布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第二源极阱区上方的第二栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103426932A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310385923.9 | 申请日期 | 2013.08.29 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种双RESURF LDMOS器件，其特征在于包括：布置在第一掺杂类型的衬底表面的具有第二掺杂类型的漏极阱区；布置在第一掺杂类型的衬底表面的与漏极阱区邻接并且相对于漏极阱区对称布置的具有第一掺杂类型的第一源极阱区和第二源极阱区；布置在漏极阱区表面中央位置的具有第二掺杂类型并且掺杂浓度大于漏极阱区的漏极接触区；布置在漏极阱区表面与漏极接触区邻接并且相对于漏极接触区对称布置的第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域；布置在漏极阱区中并且分别布置在第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域下方的第一掩埋区域和第二掩埋区域，第一掩埋区域和第二掩埋区域具有第一掺杂类型；布置在第一源极阱区表面的具有第二掺杂类型的第一源极接触区；布置在第二源极阱区表面的具有第二掺杂类型的第二源极接触区；布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第一源极阱区上方的第一栅极；以及布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第二源极阱区上方的第二栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||