台面保护门极-阴极PN结的可控硅芯片结构

摘要

台面保护门极-阴极PN结的可控硅芯片结构，属于可控硅芯片设计技术领域。包括硅衬底片，其特征是，所述硅衬底片上设有氧化层、玻璃钝化台面槽和门极引线孔、阴极引线孔，玻璃钝化台面槽内设有钝化玻璃层。所述硅衬底片为在N-单晶硅片上有完成隔离P+区、阳极P区和门极P区扩散以及阴极N+区。所述阴极N+区与门极P区间周边表面PN结设置在所述玻璃钝化台面槽内。本实用新型的效果是通过新的可控硅器件芯片结构设计，解决了芯片的IGT、VGT等参数的问题，提高了成品率以及后道封装的适应性和可靠性，增加了通态电流，降低了通态压降。同时采用这样的结构，可减小芯片面积，提高硅片的利用率，降低芯片生产成本。

主权项

台面保护门极‑阴极PN结的可控硅芯片结构，包括硅衬底片，其特征是，所述硅衬底片上设有氧化层（4）、玻璃钝化台面槽（5）和门极引线孔（6）、阴极引线孔（7），玻璃钝化台面槽（5）内设有钝化玻璃层。