一种基于栅致漏极泄漏效应的1T-DRAM的制备方法

摘要

本发明提供了一种基于栅致漏极泄漏（GIDL）效应的1T-DRAM的制备方法，通过向半导体金属栅极漏极端注入离子从而有效实现不同于常规CMOS工艺的漏栅重叠延伸特性，以增大GIDL效应，达到加快充电速率的目的，增大写“1”过程中空穴累积效果，增加写“1”速度，从而制备高性能的1T-DRAM；而且本发明制备过程简单易行，实用性强。

主权项

一种基于栅致漏极泄漏效应的1T‑DRAM的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤一：在N型MOS晶体管制备区域由下至上依次覆盖一层高k值介电层和一层金属氧化物介电材料层；所述高k值介电层、金属氧化物介电材料层均形成在栅极槽中；步骤二：向所述栅极槽内，金属氧化物介电材料层靠近漏极端注入拥有小功函数的离子，从而降低所述栅极靠近漏极端的功函数，致使栅极下的沟道区域中的靠近漏极端的部分区域在不加栅压的情况下反型为N型，增大晶体管的栅致漏极泄漏效应；步骤三：向所述栅极槽中填充金属或多晶硅材料，以及在晶体管的栅极、源极、漏极上完成互联金属层制作，从而完成栅极制备。