| 发明名称 | 光电子半导体芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提出了一种光电子半导体芯片。该半导体芯片具有半导体层序列(2)，其具有在第一导电类型的层(21)和第二导电类型的层(22)之间的设计用于产生辐射的有源层(23)。第一导电类型的层(21)与半导体层序列(2)的前侧(110)相邻。半导体层序列(2)包含至少一个凹处(3)，所述凹处从半导体层序列(2)的与前侧(110)对置的背侧(120)穿过有源层(23)延伸到第一导电类型的层(21)。第一导电类型的层(21)借助第一电连接层(5)穿过所述凹处(3)来电连接，其中第一电连接层(5)至少局部地覆盖半导体层序列(2)的背侧(120)。半导体芯片在所述凹处(3)的范围中包含过渡层(20)，该过渡层具有第一导电类型的层(21)的材料和第一电连接层(5)的材料构成的材料组合物。此外，提出了一种用于制造这种半导体芯片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101971371B | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN200980109048.3 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 卡尔·恩格尔;卢茨·赫佩尔;帕特里克·罗德;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 朱胜;许伟群 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片，具有：半导体层序列(2)，其具有在第一导电类型的层(21)和第二导电类型的层(22)之间的、设计用于产生辐射的有源层(23)，其中‑第一导电类型的层(21)与半导体层序列(2)的前侧(110)相邻，‑半导体层序列(2)包含至少一个凹处(3)，所述凹处从半导体层序列(2)的与前侧(110)对置的背侧(120)穿过有源层(23)延伸到第一导电类型的层(21)，‑借助第一电连接层(5)穿过所述凹处(3)来电连接第一导电类型的层(21)，其中第一电连接层(5)至少局部地覆盖半导体层序列(2)的背侧(120)，以及‑半导体芯片在所述凹处(3)的区域中包含过渡层(20)，该过渡层具有第一导电类型的层(21)的材料和第一电连接层(5)的材料构成的材料组合物。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||