发明名称 |
薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法 |
摘要 |
本发明提供了薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。用于制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤:利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极;在栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜;以及在设置有有机半导体层和电极膜的衬底上形成负型光刻胶膜,并且,通过将栅极电极用作遮光掩模从衬底一侧进行背表面曝光,并进行随后的显影处理,来形成抗蚀剂图案,所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀电极膜来形成源极-漏极所用的掩模。 |
申请公布号 |
CN101867017B |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201010150255.8 |
申请日期 |
2010.04.12 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
野本和正;胜原真央;汤本昭 |
分类号 |
H01L51/40(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
王安武;南霆 |
主权项 |
一种用于制造薄膜晶体管的方法,包括以下步骤:利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极;在所述栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜;在设置有所述有机半导体层和所述电极膜的所述衬底上形成负型光刻胶膜,并且,通过将所述栅极电极用作遮光掩模从所述衬底一侧进行背表面曝光,并进行随后的显影处理,来形成抗蚀剂图案,所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀所述电极膜来形成源极‑漏极所用的掩模;在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成之后,通过将所述抗蚀剂图案用作掩模来刻蚀在所述栅极电极上的所述电极膜以由所述电极膜形成所述源极‑漏极,其中所述源极‑漏极的端缘与所述栅极电极在宽度方向上的两个端缘对准;以及在刻蚀所述电极膜之后,利用层间绝缘膜覆盖所述衬底,并在所述层间绝缘膜上形成连接到所述源极‑漏极的各个配线。 |
地址 |
日本东京都 |