沟槽阵列的形成方法

摘要

本发明提供了一种沟槽阵列的形成方法，包括步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上具有掩膜层；图案化掩膜层，形成具有阵列排列的条形开口的掩膜图案；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr的刻蚀气体对所述半导体基底第一刻蚀；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr、O2的刻蚀气体对所述半导体基底第二刻蚀；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr、O2的刻蚀气体对所述半导体基底第三刻蚀，其中第一刻蚀的NF3流量小于第二刻蚀及第三刻蚀中的NF3流量，第二刻蚀中的氧气流量小于第三刻蚀中的氧气流量。本发明能够将沟槽的CD进一步减小，深宽比进一步增大。

主权项

一种沟槽阵列的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上具有掩膜层；图案化掩膜层，形成具有阵列排列的条形开口的掩膜图案；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr的刻蚀气体对所述半导体基底第一刻蚀，以去除在半导体基底表面的氧化物；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr、O2的刻蚀气体对所述半导体基底第二刻蚀，第二刻蚀中的NF3流量大于第一刻蚀的NF3流量，以增大在深度方向的垂直刻蚀的作用，并且利用氧气对侧壁进行保护；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr、O2的刻蚀气体对所述半导体基底第三刻蚀，第三刻蚀中的NF3流量大于第一刻蚀的NF3流量，第三刻蚀中的氧气流量大于第二刻蚀中的氧气流量，以提高刻蚀过程中对侧壁的保护。