接面场效应晶体管元件

摘要

本发明为接面场效应晶体管元件，包括第一型掺杂物的基板；基板中的第二型掺杂物的第一井区；第一型掺杂物的一第二井区和一第三井区，于第一井区中彼此分离；第一型掺杂物的第四井区，位于第二井区和第三井区间；第二型掺杂物的第一扩散区，位于第四井区及第二井区之间；及第二型掺杂物的第二扩散区，位于第三井区以及第四井区之间。

主权项

一种接面场效应晶体管元件，其特征在于，该接面场效应晶体管元件包括：一第一型掺杂物的一基板；一第二型掺杂物的一第一井区，该第一井区位于该基板中；该第一型掺杂物的一第二井区和一第三井区，该第二井区和该第三井区于该第一井区中彼此分离；该第一型掺杂物的一第四井区，该第四井区位于该第二井区和该第三井区之间；该第二型掺杂物的一第一扩散区，该第一扩散区位于该第二井区及该第四井区之间；该第二型掺杂物的一第二扩散区，该第二扩散区位于该第三井区及该第四井区之间；该第二型掺杂物的一对第一掺杂区，位于该第一井区中；该第一型掺杂物的一对第二掺杂区，分别位于该第二井区和该第三井区中；该第二型掺杂物的一第三掺杂区，位于该第一井区中，且该第三掺杂区位于该第二井区和该第三井区之间并在该第四井区之上；以及一图案化导电层，其中该图案化导电层包括位于该对第一掺杂区上的一对漏极端、位于该对第二掺杂区上的一对栅极端，以及位于该第三掺杂区上的一源极端。