一种基于聚酰亚胺基体的铝垫制备工艺

摘要

本发明提供一种基于聚酰亚胺基体的铝垫制造工艺，在半导体器件上淀积聚酰亚胺层，对聚酰亚胺层进行光刻形成沟槽图形；在半导体器件上依次淀积铝膜层和介电硬掩膜层，旋涂光刻胶，光刻光刻胶形成沟槽图形；对介电硬掩模层进行干法刻蚀，灰化去除光刻胶；干法刻蚀铝膜；旋涂聚酰亚胺层，光刻打开聚酰亚胺层，形成铝垫图形，后用干法刻蚀去除铝垫上介电硬掩模层。在本发明的制造中，省去去除光阻刻蚀铝膜后的灰化步骤，避免了对聚酰亚胺基体的损伤，减少引起窄铝连线倒塌的可能性。制造工艺也相对的简单，生产出的铝垫可以满足对铝垫改变布局的需要。

主权项

一种基于聚酰亚胺基体的铝垫制造工艺，其特征在于：在半导体器件所在的晶圆上覆盖第一聚酰亚胺层，并对第一聚酰亚胺层进行刻蚀形成第一开口，在第一开口中暴露作为半导体器件信号连接端子的铝垫；沉积一层铝膜至第一聚酰亚胺层上，部分铝膜同时淀积在第一开口中并覆盖在铝垫上；在铝膜上沉积一层介电硬掩膜层；刻蚀所述介电硬掩膜层，形成介电硬掩膜层中的第二开口；通过第二开口刻蚀铝膜，形成由铝膜构成的再分布铝垫和铝线；再沉积第二聚酰亚胺层覆盖所述介电硬掩膜层，同时部分第二聚酰亚胺还填充在铝膜被刻蚀掉而形成的沟槽中；刻蚀第二聚酰亚胺形成第二聚酰亚胺层中的第三开口，并进一步通过第三开口刻蚀介电硬掩膜层，以在第三开口中暴露再分布铝垫。