改善双应力氮化硅薄膜集成的工艺及其中的结构

摘要

本发明一般涉及半导体集成电路制造领域，更确切的说，本发明涉及改善双应力氮化硅薄膜集成的工艺及其中的结构。本发明公开了一种改善双应力氮化硅薄膜集成的工艺及其中的结构，通过采用氮化物层-氧化物层-氮化物层-氧化物层（SiN-oxide-SiN-oxide）结构及在DSL工艺整合中采用湿法刻蚀工艺进行选择性刻蚀，不仅不会产生等离子损伤，还能充分利用氢氟酸（HF）对氧化物层和磷酸（HPO）对氮化物层的湿法刻蚀选择性，以降低交叠区域中的氮化物的高度，而干法刻蚀工艺打开第一、二氧化物层（oxide）时，也不会对氧化物层及其下层氮化物层（SiN）的过刻蚀，从而降低了最终电路开路的可能性。

主权项

一种改善双应力氮化硅薄膜集成的工艺，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，其特征在于，包括以下步骤：在第一、第二半导体器件所包含的第一、第二栅极结构及衬底上，依次淀积第一氮化物层和第一氧化物层；刻蚀去除第二半导体器件区域及第二栅极结构上方的第一氧化物层和第一氮化物层；之后在第二半导体器件所在的衬底及第二栅极结构上，依次淀积第二氮化物层和第二氧化物层，其中，所述第二氮化物层和所述第二氧化层同时还覆盖剩余的第一氧化物层；刻蚀去除第一半导体器件上方的部分第二氧化物层，湿法刻蚀去除第一半导体器件区域上方的第二氮化物层，及剩余的第一氧化物层与剩余的第二氧化物层交叠区域中的第二氮化物层，交叠区域延伸至剩余第二氧化物层下方的区域中的第二氮化物层也同时被刻蚀掉；湿法刻蚀去除剩余的第一氧化物层和剩余的第二氧化物层。