制造非易失性存储器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有多个层间电介质层和多个牺牲层的层叠结构，其中，层间电介质层和牺牲层交替地层叠在衬底之上；通过选择性地刻蚀层叠结构来形成暴露出衬底的一部分的第一孔；在第一孔中形成第一绝缘层；通过选择性地刻蚀第一绝缘层来形成暴露出衬底的一部分的第二孔；以及在第二孔中形成沟道层。

主权项

一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：形成多个层间电介质层和多个牺牲层交替地层叠在衬底之上的层叠结构；通过选择性地刻蚀所述层叠结构来形成暴露出所述衬底的第一孔；在所述第一孔中形成第一绝缘层；通过选择性地刻蚀所述第一绝缘层来形成暴露出所述衬底的第二孔；以及在所述第二孔中形成沟道层；形成缝隙以暴露出所述层叠结构中的所述多个牺牲层；去除暴露出的所述牺牲层；通过将去除所述牺牲层而暴露出的所述第一绝缘层去除直到暴露出所述第二孔的侧壁来形成凹槽；以及形成掩埋在所述凹槽中并与所述沟道层接触的栅电极层，存储器层插入在所述栅电极层与所述沟道层之间。