| 发明名称 | 一种碳纳米壁的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳纳米壁的制备方法。该方法包括如下步骤：将金属衬底用浓度为0.01～1mol/L的酸液进行刻蚀；将经刻蚀后的所述金属衬底置于反应室中，并排除所述反应室中的空气；将置于反应室中的所述金属衬底加热至700～1100℃后，向排除空气的所述反应室中持续通入体积比为1∶2～10的保护性气体与碳源气体的混合气体进行反应，并保持1～300分钟，在所述金属衬底表面生长所述碳纳米壁。上述碳纳米壁的制备方法采用刻蚀和化学气相沉积两步法制备垂直碳纳米壁，其制备工艺简单，条件易控，缩短了刻蚀时间，提高了生产效率，降低了生产成本，有效避免了现有采用等离子体制备碳纳米壁。由该方法制备的碳纳米壁密集。 | ||
| 申请公布号 | CN103420354A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210159757.6 | 申请日期 | 2012.05.22 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 | 发明人 | 周明杰;袁新生;王要兵 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种碳纳米壁的制备方法，包括如下步骤：将金属衬底用浓度为0.01～1mol/L的酸液进行刻蚀；将经刻蚀后的所述金属衬底置于反应室中，并排除所述反应室中的空气；将置于反应室中的所述金属衬底加热至700～1100℃后，向排除空气的所述反应室中持续通入体积比为1：2～10的保护性气体与碳源气体的混合气体进行反应，并保持1～300分钟，在所述金属衬底表面生长所述碳纳米壁。 | ||
| 地址 | 518052 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||