| 发明名称 | 薄膜晶体管及具备该薄膜晶体管的像素电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及薄膜晶体管及具备该薄膜晶体管的像素电路，薄膜晶体管包括：半导体层，设置于所述基底上，包括源区、第一漏区以及第二漏区，所述第一漏区与所述源区间隔第一电流通路的长度，所述第二漏区与所述源区间隔第二电流通路的长度，所述第二电流通路的长度相异于所述第一电流通路的长度；栅极，通过栅绝缘膜与所述半导体层绝缘；源极，与所述半导体层的所述源区连接；第一漏极，与所述半导体层的所述第一漏区连接；以及第二漏极，与所述半导体层的所述第二漏区连接，并且通过第一、第二电流通路，可同时提供大小相异的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN103426933A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210516322.2 | 申请日期 | 2012.12.05 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 朴晋佑;金东焕 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;G09G3/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：基底；半导体层，设置于所述基底上，包括源区、第一漏区以及第二漏区，所述第一漏区与所述源区间隔第一电流通路的长度，所述第二漏区与所述源区间隔第二电流通路的长度，所述第二电流通路的长度相异于所述第一电流通路的长度；栅极，通过栅绝缘膜与所述半导体层绝缘；源极，与所述半导体层的所述源区连接；第一漏极，与所述半导体层的所述第一漏区连接；以及第二漏极，与所述半导体层的所述第二漏区连接。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||