| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够实现制造工艺简化以及不良品发生率降低的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有如下工序：在基板上贴附第一层干膜（210），形成在厚度方向上贯通该干膜（210）的第一孔（212a），利用电镀处理在第一孔内形成第一柱电极（213a）；在第一层干膜（210）的上表面（210a）上重叠贴附第二层干膜（211），形成在厚度方向上贯通该第二干膜（211）并且与第一孔（212a）连接的第二孔（212b），利用电镀处理在第一柱电极（213a）上形成第二柱电极（213b），第一柱电极（213a）以其上表面比第一层干膜（210）的上表面（210a）低的方式形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103426775A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310126561.1 | 申请日期 | 2013.04.12 |
| 申请人 | 拉碧斯半导体株式会社 | 发明人 | 小池理 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在基板上贴附第一光致抗蚀剂干膜，形成在厚度方向上贯通所述第一光致抗蚀剂干膜的第一孔，利用电镀处理在所述第一孔内形成第一柱电极；以及在所述第一光致抗蚀剂干膜的上表面上重叠贴附第二光致抗蚀剂干膜，形成在厚度方向上贯通所述第二光致抗蚀剂干膜并且与所述第一孔连接的第二孔，利用电镀处理在所述第一柱电极上形成第二柱电极，在形成所述第一柱电极的工序中，以所述第一柱电极的上表面比所述第一光致抗蚀剂干膜的所述上表面低的方式进行所述第一柱电极的形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||