| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由AlxGayIn1-x-yP（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）或AlzGa1-zAs（0≤z≤1）形成；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由(AlvGa1-v)0.5In0.5P（0.7≤v≤1）或AlwIn1-wP（0≤w≤1）形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层。 | ||
| 申请公布号 | CN103426992A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310197218.6 | 申请日期 | 2013.05.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 徐钟旭;沈恩德;李相沌;洪玄权 |
| 分类号 | H01L33/46(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/46(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王占杰;刘灿强 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由AlxGayIn1‑x‑yP或AlzGa1‑zAs形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，0≤z≤1；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由（AlvGa1‑v)0.5In0.5P或AlwIn1‑wP形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层，其中，0.7≤v≤1，0≤w≤1。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||