| 主权项 |
一种混频设备，其包含：混频核心，其包含一个或一个以上混频核心输出，所述混频核心经配置以接收在RF频率下的射频RF信号的一个或一个以上相位，接收本机振荡器LO信号的一个或一个以上相位，将所述RF信号与所述LO信号进行混频以获得在IF频率下的中频IF信号，所述IF信号为使用所述LO信号经降频转换的所述RF信号，以及经由所述一个或一个以上混频核心输出而输出所述IF信号的所述一个或一个以上相位，每一混频核心输出对应所述IF信号的一个相位；电流缓冲器，其包含一个或一个以上电流缓冲器输入及一个或一个以上电流缓冲器输出，所述IF信号的每一相位对应一个电流缓冲器输入，所述IF信号的每一相位对应一个电流缓冲器输出，每一电流缓冲器输入呈现不大于第一输入阻抗，每一电流缓冲器输出呈现至少第一输出阻抗，所述第一输出阻抗大于所述第一输入阻抗；以及跨阻抗放大器TIA，其包含一个或一个以上TIA输入及一个或一个以上TIA输出，所述IF信号的每一相位对应一个TIA输入，所述IF信号的每一相位对应一个TIA输出；其中：对于所述IF信号的每一相位，对应于所述IF信号的所述每一相位的所述混频核心输出耦合到对应于所述IF信号的所述每一相位的所述电流缓冲器输入，对应于所述IF信号的所述每一相位的所述电流缓冲器输出耦合到对应于所述IF信号的所述每一相位的所述TIA输入，以使得由所述混频核心输出的所述IF信号的所述每一相位在所述电流缓冲器中经缓冲且在所述跨阻抗放大器中经处理；所述IF信号的所述一个或一个以上相位包含至少第一IF相位及第二IF相位，所述电流缓冲器包含在对应于所述第一IF相位的所述电流缓冲器输入与对应于所述第一IF相位的所述电流缓冲器输出之间的第一互补金属氧化物半导体CMOS共栅极装置，所述电流缓冲器进一步包含在对应于所述第二IF相位的所述电流缓冲器输入与对应于所述第二IF相位的所述电流缓冲器输出之间的第二CMOS共栅极装置；所述第一CMOS共栅极装置包含第一本体节点、第一源极节点、第一栅极节点 及第一漏极节点；所述第二CMOS共栅极装置包含第二本体节点、第二源极节点、第二栅极节点及第二漏极节点；所述第一本体节点连接到所述第二源极节点；且所述第二本体节点耦合到所述第一源极节点。 |
