发明名称 |
一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法。该修饰方法,包括以下步骤:1)配制ZnO前驱体溶液;2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中,再放入烘箱中反应,以在所述ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层,其中所述烘箱中的反应温度为75℃~90℃。该修饰方法不仅增加了ZnO薄膜晶体管输出电流和迁移率,而且制备过程简单、无需高温、可控性好,适合于基于柔性衬底的器件制备,为开发大面积柔性平板显示提供了一种新的途径。 |
申请公布号 |
CN102339756B |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201010238835.2 |
申请日期 |
2010.07.26 |
申请人 |
国家纳米科学中心 |
发明人 |
于爱芳;江鹏;郜展;李宏宇;唐浩颖 |
分类号 |
H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
一种ZnO薄膜晶体管的修饰方法,包括以下步骤:1)配制ZnO前驱体溶液,所述ZnO前躯体溶液由六水合硝酸锌和六次甲基四胺配制而成,其中六水合硝酸锌的摩尔浓度为10mM~100mM,六次甲基四胺浓度为10mM~100mM;2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中,再放入烘箱中反应,以在所述ZnO薄膜晶体管的ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层,其中所述烘箱中的反应温度为75℃~90℃。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一条11号 |