发明名称 一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法
摘要 本发明提供一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法。该修饰方法,包括以下步骤:1)配制ZnO前驱体溶液;2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中,再放入烘箱中反应,以在所述ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层,其中所述烘箱中的反应温度为75℃~90℃。该修饰方法不仅增加了ZnO薄膜晶体管输出电流和迁移率,而且制备过程简单、无需高温、可控性好,适合于基于柔性衬底的器件制备,为开发大面积柔性平板显示提供了一种新的途径。
申请公布号 CN102339756B 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201010238835.2 申请日期 2010.07.26
申请人 国家纳米科学中心 发明人 于爱芳;江鹏;郜展;李宏宇;唐浩颖
分类号 H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L21/34(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种ZnO薄膜晶体管的修饰方法,包括以下步骤:1)配制ZnO前驱体溶液,所述ZnO前躯体溶液由六水合硝酸锌和六次甲基四胺配制而成,其中六水合硝酸锌的摩尔浓度为10mM~100mM,六次甲基四胺浓度为10mM~100mM;2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中,再放入烘箱中反应,以在所述ZnO薄膜晶体管的ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层,其中所述烘箱中的反应温度为75℃~90℃。
地址 100190 北京市海淀区中关村北一条11号