溅射方法

摘要

本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。

主权项

一种溅射方法，其特征在于：在设置有靶的真空室内将基板与靶相对设置，向真空室内导入溅镀气体，向靶施加电力在真空室内形成等离子体并对靶进行溅射，在基板的与靶相对的面上成膜；以靶的与基板的相对面侧为上，在靶下方在作为该靶的一个方向的X方向上以规定间隔并列设置多个磁铁单元，并通过各磁铁单元在靶的上方形成隧道状的漏磁场；在溅射中使各磁铁单元同步地在X方向以规定的冲程对靶作相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶作相对的往复运动；使各磁铁单元与基板向相反方向作相对移动，并使各磁铁单元和基板从往复运动的起点到达折返位置为止的时间相同。