一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料

摘要

本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料。所述压电陶瓷的组成为：(xBi(Fe0.9Mn0.1)O3-mBiGaO3-y(Pb0.89Sr0.1Mg0.01)(Ti0.51Zr0.49)O3)+0.03~0.8wt.%In2O3+0.01~0.6wt.%LiNbO3；其中，0.01≤x≤0.1mol,0.01≤m≤0.1mol，0.8≤y≤0.98mol，x+m+y=1。所制备的压电陶瓷的介电常数约为1450左右,机械品质因素为1200左右，径向机电耦合系数为0.60左右，谐振频率温度系数小于0.01%(-55~+85℃),谐振频率时间稳定性好小于0.003%（老化200小时），介质损耗小于0.01%；使用过程中性能稳定性好，安全性高。

主权项

一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷，所述压电陶瓷的介电常数为1447‑1483，机械品质因素为1193‑1230，径向机电耦合系数为0.58‑0.62，谐振频率温度系数在‑55～+85℃温度范围内为0.004％‑0.008％，老化200小时后的谐振频率时间稳定性tfr为0.0015％‑0.0028％，介质损耗为0.005％‑0.008％，其特征在于：所述压电陶瓷的组成为：(xBi(Fe0.9Mn0.1)O3‑mBiGaO3‑y(Pb0.89Sr0.1Mg0.01)(Ti0.51Zr0.49)O3)+0.03～0.8wt.％In2O3+0.01～0.6wt.％LiNbO3；其中，0.01≤x≤0.1mol，0.01≤m≤0.1mol，0.8≤y≤0.98mol，x+m+y=1，其中Bi(Fe0.9Mn0.1)O3、BiGaO3、(Pb0.89Sr0.1Mg0.01)(Ti0.51Zr0.49)O3、LiNbO3分别是采用常规的化学原料以固相法合成；In2O3和LiNbO3的加入量分别是基体(xBi(Fe0.9Mn0.1)O3‑mBiGaO3‑y(Pb0.89Sr0.1Mg0.01)(Ti0.51Zr0.49)O3)质量的0.03～0.8％和0.01～0.6％。