发明名称 半导体发光元件及覆晶式封装元件
摘要 本发明提供一种半导体发光元件及覆晶式封装元件。该半导体发光元件,包括第一态掺杂半导体层、发光层、第二态掺杂半导体层以及反射层。第一态掺杂半导体层具有平台部与下陷部。发光层配置于平台部上并具有第一表面、第二表面及连接第一表面与第二表面的第一侧壁面。第二态掺杂半导体层配置于发光层上并具有第三表面、第四表面及连接第三表面与第四表面的第二侧壁面。反射层覆盖至少部分第二态掺杂半导体层及至少部分第一态掺杂半导体层,其中以平行于发光层的观察方向来看,反射层覆盖至少部分第一侧壁面与至少部分第二侧壁面。一种覆晶式封装元件也被提出。
申请公布号 CN103426987A 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201210147492.8 申请日期 2012.05.14
申请人 新世纪光电股份有限公司 发明人 李允立;吴志凌;黄逸儒;罗玉云
分类号 H01L33/10(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/10(2010.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种半导体发光元件,其特征在于,包括:第一态掺杂半导体层,具有平台部与下陷部,其中该平台部的厚度大于该下陷部的厚度;第二态掺杂半导体层,配置于该平台部上,发光层,配置于该第一态掺杂半导体层与该第二态掺杂半导体层之间;第一反射层,配置于该第二态掺杂半导体层上;以及第二反射层,配置于该第一反射层上,且覆盖至少部分该第一反射层,其中该第二反射层的反射率大于98%,其中,沿着垂直于该发光层的观察方向来看,至少部分的该第二反射层与该第一反射层不重叠。
地址 中国台湾台南市善化区大利三路5号