发明名称 半导体存储器件及其操作方法、存储器系统
摘要 一种半导体存储器件、存储器系统、以及一种操作半导体存储器件的方法,该半导体存储器件包括:存储单元阵列、刷新控制电路、地址计数器和地址转换器。存储单元阵列包括多个存储单元。刷新控制电路被配置为接收刷新命令并在一个刷新周期期间输出m个刷新控制信号以便刷新该半导体存储器件的所有存储单元。地址计数器被配置为响应于m个刷新控制信号产生用于刷新存储单元的计数信号。地址转换器被配置为接收计数信号并且通过响应于周期选择信号转换计数信号来输出刷新地址。地址转换器被配置为输出刷新地址,使得在一个刷新周期期间的m个刷新控制信号的数量是可变的。
申请公布号 CN103426468A 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201310184668.1 申请日期 2013.05.17
申请人 三星电子株式会社 发明人 郑仁喆
分类号 G11C11/4063(2006.01)I 主分类号 G11C11/4063(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张泓
主权项 一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;刷新控制电路,被配置为接收刷新命令并在一个刷新周期期间输出m个刷新控制信号以便刷新该半导体存储器件的所有存储单元,m为大于1的自然数;地址计数器,被配置为响应于m个刷新控制信号产生用于刷新存储单元的计数信号;以及地址转换器,被配置为接收计数信号并且通过响应于周期选择信号转换计数信号来输出刷新地址,其中,地址转换器被配置为输出刷新地址,使得在一个刷新周期期间的m个刷新控制信号的数量是可变的。
地址 韩国京畿道