发明名称 一种稀土离子掺杂的卤氧化铋发光材料及其制备方法
摘要 本发明提供一种稀土离子掺杂的卤氧化铋发光材料及其制备方法,该材料由化学式Bi1-x-yEuxReyOM组成,其中x=0.001~0.5,y=0~0.5,M为Cl、Br、I中的任意一种或几种;Re为Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Er、Tm、Yb、Gd、Ho、La中的任意一种或几种。称取硝酸铋、稀土硝酸盐、卤化钾,配制成溶液;然后热处理得到产物料,再洗涤、热处理,即得到化学式为Bi1-x-yEuxReyOM的稀土离子掺杂的卤氧化铋发光材料。本发明的材料能有效地实现掺杂,具有很好的发光性质,对紫外和可见波段光吸收和激发效率高,且制备方法简单、容易控制、原材料成本低,高温固相法合成温度低。
申请公布号 CN103421511A 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201310385611.8 申请日期 2013.08.30
申请人 昆明理工大学 发明人 宋志国;李永进;李臣;尹兆益;邱建备;杨正文;周大成;杨勇;余雪;徐旭辉;韩缙
分类号 C09K11/86(2006.01)I 主分类号 C09K11/86(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种稀土离子掺杂的卤氧化铋发光材料,其特征在于:由化学式Bi1‑x‑yEuxReyOM组成,其中x=0.001~0.5,y=0~0.5,M为Cl、Br、I中的任意一种或几种;Re为Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Er、Tm、Yb、Gd、Ho、La中的任意一种或几种。
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号