分级给氧气流床气化炉及其气化方法

摘要

本发明公开了一种分级给氧气流床气化炉，包括气化炉主体、合成气出口、排渣口、集渣池，以及至少两个内设工艺喷嘴的工艺喷嘴室，所述气流床气化炉还包括至少两个内设二次给氧喷嘴的二次给氧喷嘴室，所述二次给氧喷嘴室设置于所述工艺喷嘴室和所述集渣池之间，并对称布置于所述气化炉主体四周，所述二次给氧喷嘴安装在所述二次给氧喷嘴室内。本法还提供了该气流床气化炉的气化方法，在反应过程中对二次给氧喷嘴通入氧化剂，反应生成的粗煤气和液态渣分流。本发明采用合成气出口使气渣分流，从而降低合成气出口温度。适当通入二次氧化剂来提高气化炉渣口熔渣温度，从而大幅降低氧化剂消耗和原料消耗。

主权项

一种分级给氧气流床气化炉，包括气化炉主体、一位于所述气化炉主体顶部的合成气出口、一位于气化炉主体底部的排渣口、套设于气化炉主体底部的集渣池，以及至少两个内设工艺喷嘴的工艺喷嘴室，所述工艺喷嘴室对称布置于所述气化炉主体的四周，所述工艺喷嘴安装在所述工艺喷嘴室内；其特征在于，所述气流床气化炉还包括至少两个内设二次给氧喷嘴的二次给氧喷嘴室，所述二次给氧喷嘴室设置于所述工艺喷嘴室和所述集渣池之间，并对称布置于所述气化炉主体四周，所述二次给氧喷嘴安装在所述二次给氧喷嘴室内；所述气化炉主体的内直径为D，所述排渣口内直径为0.05～0.9D，所述合成气出口内直径为0.05～0.9D；所述工艺喷嘴室上部空间的高度为0.5～15D，所述工艺喷嘴室与所述二次给氧喷嘴室间的直段高度为0.5～2D，所述工艺喷嘴室下部直段高度为1.3～5D。