发明名称 掺杂高浓度钕的钇铝石榴石晶体的生长方法
摘要 本发明公开了掺杂高浓度钕的钇铝石榴石晶体的生长方法,该方法基于中频感应晶体炉,包括六个步骤四个阶段的生长方法。本发明相对于现有技术的优点为:本生长方法,可获得掺钕浓度高达1.2-1.4at%的Nd:YAG晶体,由于晶体掺杂浓度高,其等径部分采用上大下小等径生长,放肩和收尾的角度减小,防止晶体开裂;通过改变提拉速度和转速,减小Nd3+离子浓度梯度从而保证晶体内部质量。因此,通过该生长方法获得的Nd:YAG晶体散射颗粒少,无晶格畸变导致开裂现象,无气泡和组分过冷现象,浓度梯度小,晶体生长完好,且光学均匀性好,保证了Nd:YAG晶体的质量,满足各种激光器越来越高的使用要求。
申请公布号 CN103422173A 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201310344207.6 申请日期 2013.08.08
申请人 巢湖市环宇光学技术有限公司 发明人 万文;万黎明
分类号 C30B29/28(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/28(2006.01)I
代理机构 安徽汇朴律师事务所 34116 代理人 胡敏
主权项 掺杂高浓度钕的钇铝石榴石晶体的生长方法,其特征在于,采用熔体提拉法制备,包括如下步骤:(1)按预设的掺钕浓度进行计算、称重配好原料,混合均匀,然后装入乳胶模具中密封并通过等静压成型;(2)将籽晶放入籽晶杆中;(3)将成型的原料放入晶体炉中直径为120mm的铱金坩埚内,调好温场后抽真空,然后充入高纯氩气进行保护;(4)采用中频电源感应加热升温,使成型的原料全部熔化后,熔体液流线清晰稳定时开始缓慢下籽晶,至籽晶与熔体表面接触;(5)恒温2小时,开始提拉籽晶,待籽晶表面稍熔后,提拉并转动籽晶杆,开始晶体生长,晶体生长包括放肩、等径生长、收尾和降温四个阶段,其中放肩角度控制在28‑35°,当其下端直径为40mm时,改变提拉速度并调整温度开始转肩使其直径为42‑43mm等径生长,等径生长转速为13‑17转/分,提拉速度为0.6‑0.8mm/h,晶体等径生长30‑40mm长度时改变转速与提拉速度使其下端直径为40‑41mm等径生长;等径生长达到预定长度后,缓慢升温收尾,从侧面观察收尾段形成上大下小的等腰梯形;至下角角度为102.5‑105°且下端直径为3‑5mm时收尾结束,开始缓慢降温提拉铱金坩埚内原料,保护坩埚,降到合适温度点提拉杆停转,继续缓慢降温,当中频电源回流降至200A以下时,关闭电源,进行自然降温;(6)经过24小时自然降温后,取出晶体。
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