| 发明名称 | 一种MOSFET器件以及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MOSFET器件以及制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构以及位于栅极两侧的LDD区；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；蚀刻所述衬底以在所述衬底中将形成源漏区的部位形成沟槽；在所述沟槽的表面形成氧化物绝缘层；在所述氧化物绝缘层上沉积氧化物掩膜层；在所述的氧化物掩膜层上沉积硅氧化物；回刻所述硅氧化物，仅保留沟槽临近所述栅极一侧的侧壁上的所述硅氧化物；以硅氧化物为掩膜，各向同性蚀刻氧化物掩膜层；采用湿法蚀刻去除所述硅氧化物以及未被所述氧化物掩膜层遮盖的氧化物绝缘层；去除残留的所述氧化物掩膜层；在所述沟槽内外延生长硅；形成源漏区。所述方法能很好的消除浅沟道效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103426761A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210158060.7 | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周晓君 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构以及位于所述栅极结构两侧衬底中的LDD区；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；蚀刻所述衬底以在所述衬底中形成源漏区的部位形成沟槽；在所述沟槽的表面形成氧化物绝缘层；在所述氧化物绝缘层上沉积氧化物掩膜层；在所述的氧化物掩膜层上沉积硅氧化物；回刻所述硅氧化物，仅保留位于所述沟槽临近所述栅极一侧的侧壁上的所述硅氧化物；以所述硅氧化物为掩膜，各向同性蚀刻所述氧化物掩膜层；采用湿法蚀刻去除所述硅氧化物以及未被所述氧化物掩膜层遮盖的所述氧化物绝缘层；去除残留的所述氧化物掩膜层；在所述沟槽内外延生长硅；形成源漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||