一种增加PMOS有效沟道长度的方法

摘要

本发明提供一种增加PMOS有效沟道长度的方法，包括以下步骤：在衬底内制作n阱和p阱；在n阱上制作第一多晶硅栅，在p阱上制作第二多晶硅栅；生长第一氧化层；在n阱区域进行轻掺杂源/漏注入；在n阱和p阱表面生长第二氧化层；在p阱区域进行轻掺杂源/漏注入；在n阱和p阱区域生长氮化硅层和第三氧化层；蚀刻第一氧化层，第二氧化层，氮化硅层和第三氧化层，在n阱和p阱的多晶硅栅周围形成侧墙；在n阱区域进行重掺杂源/漏注入；在所述p阱区域进行重掺杂源/漏注入。本发明将p阱区域进行轻掺杂源/漏注入的步骤移到了生长第二氧化层和氮化硅层之间，利用了第二氧化层增加了PMOS有效沟通长度。

主权项

一种增加PMOS有效沟道长度的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤： 在衬底内制作n阱和p阱，所述n阱和所述p阱之间用一浅沟槽隔离，在所述n阱上制作第一多晶硅栅，在所述p阱上制作第二多晶硅栅； 在所述n阱和所述p阱上生长第一氧化层，所述第一氧化层厚度为10埃至60埃，形成第一、第二多晶硅栅的第一层侧墙； 所述p阱区域以光刻胶掩蔽，在所述n阱区域，以所述第一多晶硅栅为掩膜进行轻掺杂源/漏注入，掺杂材料为砷、磷或砷和磷的混合物，掺杂密度的范围为1020至1021个离子每立方厘米之间； 在所述n阱和所述p阱上生长第二氧化层，所述第二氧化层厚度为100埃至200埃，形成第一、第二多晶硅栅的第二层侧墙； 所述n阱区域以光刻胶掩蔽，在所述p阱区域，以所述第二多晶硅栅为掩膜进行轻掺杂源/漏注入，掺杂材料为BF2、硼或BF2和硼的混合物，掺杂密度的范围为1020至1021个离子每立方厘米之间； 在n阱和p阱区域生长氮化硅层和第三氧化层，所述氮化硅层厚度为200埃至400埃、所述第三氧化层厚度为500埃至1500埃，形成第一多晶硅栅的第三、第四层侧墙和第二多晶硅栅的第三、第四层侧墙，再利用蚀刻工艺，蚀刻所述第一氧化层、所述第二氧化层、所述氮化硅层和所述第三氧化层，在所述n阱区域和所述p阱区域的多晶硅栅周围形成多晶硅栅的最终侧墙； 在所述n阱区域，以所述多晶硅栅的最终侧墙为掩膜进行重掺杂源/漏注入后去除所述p阱区域的光刻胶，在所述p阱区域，以所述多晶硅栅的最终侧墙为掩膜进行重掺杂源/漏注入后去除所述n阱区域的光刻胶。