发明名称 |
在半导体处理期间用于离子和颗粒过滤的双介质过滤器 |
摘要 |
本发明涉及在半导体处理期间用于离子和颗粒过滤的双介质过滤器,具体地,涉及在半导体处理期间使用的流体过滤系统和方法。一个或多个实施例涉及用于在向诸如半导体晶片清洁工具之类的半导体晶片处理工具提供流体时从流体过滤离子和颗粒的流体过滤系统和方法。 |
申请公布号 |
CN103426799A |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201310198823.5 |
申请日期 |
2013.05.23 |
申请人 |
意法半导体公司;国际商业机器公司 |
发明人 |
J·H·张;L·埃科诺米科斯;W-T·曾;A·蒂克纳 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B01D36/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;张宁 |
主权项 |
一种系统,包括:流体源;半导体晶片制造工具;流体路径,具有与所述流体源流体连通的第一末端以及与所述半导体晶片制造工具流体连通的第二末端,所述流体路径被配置成从所述流体源向所述半导体晶片制造工具递送流体;以及双介质过滤器,位于所述流体流动路径中,并且具有壳体,所述壳体具有入口和出口,所述入口与所述流体源流体连通并且被配置成经由所述流体路径从所述流体源接收流体,所述出口与所述半导体晶片制造工具流体连通并且被配置成经由所述流体路径向所述半导体晶片制造工具提供流体,所述双介质过滤器包括位于所述壳体内的离子交换介质和颗粒过滤器介质,所述离子交换介质被配置成从所述流体去除离子,并且所述颗粒过滤器介质被配置成从所述流体去除颗粒。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |