装置与半导体元件的形成方法

摘要

本发明提供一种装置，包括半导体元件，且半导体元件包括：半导体基板，有沟道区；高介电常数的介电层，位于至少部分沟道区上；栅极，位于至少分沟道区上与介电层上，其中栅极实质上为金属；以及栅极接点，接合栅极位于沟道区上。本发明也提供一种形成半导体元件的方法，包括：提供具有道区的半导体基板；形成高介电常数的介电层于至少部分沟道区上；形成栅于介电层上与至少部分沟道区上，且栅极实质上为金属；以及形成栅极接点沟道区上并接合栅极。本发明中，栅极结构不需要额外层，可降低有效栅电阻。

主权项

一种半导体装置，包括一集成电路，且该集成电路包括:一半导体基板，具有一绝缘区及分开的第一沟道区与第二沟道区；一高介电常数的介电层，位于至少部分该第一沟道区上；一第二介电层，位于至少部分该第二沟道区上与至少部分该绝缘区上；一第一栅极，位于至少部分该第一沟道区上的第一介电层上，其中该第一栅极实质上为金属；一第二栅极，位于该第二介电层上，该第二栅极的第一部分位于该第二沟道区上，且该第二栅极的第二部分位于该绝缘区上；一第一栅极接点，于该第一沟道区上接合该第一栅极；以及一第二栅极接点，于该绝缘区上接合该第二栅极，且第二沟道区上不含第二栅极的接合。