| 发明名称 | 压电陶瓷及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种温度特性优异且能够高功率驱动的压电陶瓷。压电陶瓷以100［（Sr2－xCax）1＋y/4Na1－yNb5－2/5zMnzO15］＋αSiO2（式中，0≤x＜0.3，0.1＜y＜0.6，0＜z＜0.1，1＜α＜8）的组成式表示，并含有钨青铜结构的多晶，该多晶的c轴的取向度以Lotgering因子计为60%以上。 | ||
| 申请公布号 | CN103420672A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310107952.9 | 申请日期 | 2013.03.29 |
| 申请人 | 太阳诱电株式会社 | 发明人 | 清水宽之;土信田丰 |
| 分类号 | C04B35/495(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;季向冈 |
| 主权项 | 一种压电陶瓷，其特征在于：以100［（Sr2－xCax）1＋y/4Na1－yNb5－2/5zMnzO15］＋αSiO2的组成式表示，并含有钨青铜结构的多晶，该多晶的c轴的取向度以Lotgering因子计为60%以上，式中，0≤x＜0.3，0.1＜y＜0.6，0＜z＜0.1，1＜α＜8。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||