一种用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，主要是一种用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，包括：于一CMOS器件的半导体基底上覆盖一层与NMOS器件及PMOS器件的栅极侧墙同材质的硅化物掩模层；以光阻材料层覆盖PMOS器件区域；对NMOS器件区域的硅化物掩模层进行第一次刻蚀，使覆盖于NMOS器件区域的硅化物掩模层被部分刻蚀，且横向刻蚀深度大于纵向刻蚀深度；去除光阻材料层；对硅化物掩模层进行第二次刻蚀，使覆盖于NMOS器件栅极侧墙表面及PMOS器件栅极侧墙表面的硅化物掩模层被部分刻蚀，并使覆盖于其它区域的硅化物掩模层被完全刻蚀，且横向刻蚀深度小于纵向刻蚀深度。

主权项

一种用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤a、于一含有NMOS和PMOS器件的半导体基底上覆盖一层与所述NMOS器件及PMOS器件的栅极侧墙同材质的硅化物掩模层；步骤b、以一光阻材料层覆盖所述PMOS器件区域；步骤c、对所述NMOS器件区域的硅化物掩模层进行第一次刻蚀，使覆盖于所述NMOS器件区域的硅化物掩模层被部分刻蚀，且使横向刻蚀速率大，纵向刻蚀速率小；步骤d、去除所述光阻材料层；步骤e、对所述硅化物掩模层进行第二次刻蚀，使覆盖于所述NMOS器件栅极侧墙表面及所述PMOS器件栅极侧墙表面的硅化物掩模层被部分刻蚀，并使覆盖于其它区域的硅化物掩模层被完全刻蚀，且使横向刻蚀速率小，纵向刻蚀速率大；步骤f、于所述半导体基底上进行自对准硅化物形成工艺，形成金属硅化物区域；步骤g、于所述半导体基底表面形成一通孔刻蚀停止层；其中，通过步骤e得到的所述NMOS器件的栅极侧墙形貌较所述PMOS器件的栅极侧墙形貌窄；所述步骤g形成的通孔刻蚀停止层对CMOS器件沟 道产生张应力；所述通孔刻蚀停止层对CMOS器件沟道产生张应力时，所述通孔刻蚀停止层离所述NMOS器件沟道的距离较离所述PMOS器件沟道的距离近，使得所述NMOS器件沟道内的张应力较大，所述PMOS器件沟道内的张应力较小。