发明名称 |
太阳能电池及其模块 |
摘要 |
本发明公开了一种太阳能电池,包含:硅半导体基板、复合多功能保护膜、多个正面电极与多个背面电极。其中,硅半导体基板具有粗糙化的一第一表面,第一表面下配置一掺杂层,掺杂层的深度介于200纳米(nm)至1000纳米(nm)之间,掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020原子/公分3之间。复合多功能保护膜,设置于掺杂层之上,复合多功能保护膜具有多膜层,以减少一入射光的反射率,这些膜层最接近掺杂层的一层,其膜层厚度小于40纳米(nm)。多个正面电极,穿透复合多功能保护膜而设置于掺杂层上。多个背面电极,设置于硅半导体基板一第二表面。 |
申请公布号 |
CN103426964A |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201310158477.8 |
申请日期 |
2013.05.02 |
申请人 |
新日光能源科技股份有限公司 |
发明人 |
庄尚余;罗佩婷;戴煜暐;陈伟铭 |
分类号 |
H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/068(2012.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
王玉双;祁建国 |
主权项 |
一种太阳能电池,其特征在于,包含:硅半导体基板,具有粗糙化的第一表面,所述第一表面下配置掺杂层,其中所述掺杂层具有与所述硅半导体基板相反极性的掺杂,且所述掺杂层的深度介于200纳米至1000纳米之间,所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020原子/公分3之间;复合多功能保护膜,设置于所述掺杂层之上,所述复合多功能保护膜具有多膜层,以减少入射光的反射率,所述膜层最接近所述掺杂层的一层,其膜层厚度小于40纳米;多个正面电极,穿透所述复合多功能保护膜而设置于所述掺杂层上;及多个背面电极,设置于所述硅半导体基板第二表面。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行三路7号 |