发明名称 太阳能电池及其模块
摘要 本发明公开了一种太阳能电池,包含:硅半导体基板、复合多功能保护膜、多个正面电极与多个背面电极。其中,硅半导体基板具有粗糙化的一第一表面,第一表面下配置一掺杂层,掺杂层的深度介于200纳米(nm)至1000纳米(nm)之间,掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020原子/公分3之间。复合多功能保护膜,设置于掺杂层之上,复合多功能保护膜具有多膜层,以减少一入射光的反射率,这些膜层最接近掺杂层的一层,其膜层厚度小于40纳米(nm)。多个正面电极,穿透复合多功能保护膜而设置于掺杂层上。多个背面电极,设置于硅半导体基板一第二表面。
申请公布号 CN103426964A 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201310158477.8 申请日期 2013.05.02
申请人 新日光能源科技股份有限公司 发明人 庄尚余;罗佩婷;戴煜暐;陈伟铭
分类号 H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I 主分类号 H01L31/068(2012.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 王玉双;祁建国
主权项 一种太阳能电池,其特征在于,包含:硅半导体基板,具有粗糙化的第一表面,所述第一表面下配置掺杂层,其中所述掺杂层具有与所述硅半导体基板相反极性的掺杂,且所述掺杂层的深度介于200纳米至1000纳米之间,所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020原子/公分3之间;复合多功能保护膜,设置于所述掺杂层之上,所述复合多功能保护膜具有多膜层,以减少入射光的反射率,所述膜层最接近所述掺杂层的一层,其膜层厚度小于40纳米;多个正面电极,穿透所述复合多功能保护膜而设置于所述掺杂层上;及多个背面电极,设置于所述硅半导体基板第二表面。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行三路7号