发明名称 | 一种用于石英陶瓷坩埚的高结合强度氮化硅涂层 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于石英陶瓷坩埚的高强度氮化硅涂层,其原料组分及其重量百分比含量为:氮化硅粉末86~87.5%,氧化硼粉、硼酸粉或者硼砂粉12.5~14%。本发明通过在氮化硅涂层中引入适量的氧化硼,使其在氮化硅涂层高温处理过程中与石英坩埚表面发生反应,生成粘结相硼硅酸盐,增强氮化硅涂层与石英陶瓷坩埚结合强度,消除了铸锭多晶硅晶体的粘埚和裂锭现象;对于氮化硅涂层的研究有着深远而广泛的意义。 | ||
申请公布号 | CN103420617A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
申请号 | CN201310348239.3 | 申请日期 | 2013.08.09 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 杜海燕;巩晓晓;张晓艳;胡小侠;张顶印 |
分类号 | C03C17/22(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/22(2006.01)I |
代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 张宏祥 |
主权项 | 一种用于石英陶瓷坩埚的高结合强度氮化硅涂层,其原料组分及其重量百分比含量为:氮化硅粉86~87.5%,氧化硼粉、硼酸粉或者硼砂粉12.5~14%;该用于石英陶瓷坩埚的高结合强度氮化硅涂层的制备方法,具有如下步骤:(1)按照原料组分及其重量百分比含量:氮化硅粉86~87.5%,氧化硼粉、硼酸粉或者硼砂粉12.5~14%进行配料,以去离子水作分散介质,混合后制备成浆料,去离子水的重量为上述原料总重量的25~186%;(2)将步骤(1)的浆料通过喷涂、刷涂或流延的方法粘附在石英陶瓷坩埚内壁,初始膜厚为1~2000微米;(3)将步骤(2)内壁粘附有浆料的石英陶瓷坩埚置于高温炉中进行热处理,热处理温度为1000℃~1300℃,处理时间为0.5~10小时。 | ||
地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 |