用于金属及金属氧化物膜的蚀刻的方法

摘要

一种从包括含金属层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻含金属膜的方法，包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；以及施加能量到所述含氟气体，以在所述等离子体产生区域中产生等离子体。所述等离子体包括氟自由基与氟离子。所述方法还包括以下步骤：过滤所述等离子体，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；以及使所述反应性气体流动到所述基板处理腔室的气体反应区域内。所述方法还包括以下步骤：使所述基板暴露于所述基板处理腔室的所述气体反应区域中的所述反应性气体。相较于所述反应性气体蚀刻所述氧化硅层而言，所述反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻所述含金属层。

主权项

一种从包括含金属层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻含金属膜的方法，所述方法包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；施加能量到所述含氟气体，以在所述等离子体产生区域中产生等离子体，所述等离子体包括氟自由基与氟离子；过滤所述等离子体，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；使所述反应性气体流动到所述基板处理腔室的气体反应区域内；及使所述基板暴露于所述基板处理腔室的所述气体反应区域中的所述反应性气体，其中相较于所述反应性气体蚀刻所述氧化硅层而言，所述反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻所述含金属层。