| 发明名称 | 用于部件填充的半导体反流处理 | ||
| 摘要 | 一种用于至少部分填充工件上的部件的方法通常包括以下步骤：获得包括部件的工件；将第一共形导电层沉积在部件中；和热处理工件以使第一共形导电层在部件中反流。 | ||
| 申请公布号 | CN103426815A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310150483.9 | 申请日期 | 2013.04.26 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 伊斯梅尔·T·埃迈什 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
| 主权项 | 一种用于至少部分填充工件上的部件的方法，所述方法包括以下步骤：（a）获得包括部件的工件；（b）将第一共形导电层沉积在所述部件中；和（c）热处理所述工件以使所述第一共形导电层在所述部件中反流。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||