金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法及其器件

摘要

本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法及其器件，其制造方法为：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面上形成一绝缘层；在所述绝缘层上形成一凹槽；分别在所述凹槽侧壁下方的半导体衬底内形成轻掺杂漏极区；在所述凹槽的侧壁上分别形成栅极侧墙；在所述栅极侧墙之间的凹槽表面上形成栅极介电层；在所述栅极侧墙和栅极介电层围成的收容空间内形成栅极；去除所述绝缘层；在所述栅极侧墙两侧的半导体衬底内，分别形成源极区和漏极区。本发明的制造方法突破了光刻设备能够实现的最小栅长的限制，缩小了源极区和漏极区之间形成的沟道长度；依照上述方法形成的器件有助于增强器件的开启电流，减小短沟道效应导致的漏电。

主权项

一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面上形成一绝缘层；仅在所述绝缘层上形成一凹槽；分别在所述凹槽侧壁下方的半导体衬底内形成轻掺杂漏极区，所述轻掺杂漏极区是采用离子注入的方式，以一定的倾角注入所述凹槽而形成的，所述倾角为离子注入方向与绝缘层表面形成的夹角，其中，所述轻掺杂漏极区仅位于所述半导体衬底的表面位置，所述轻掺杂漏极区一部分位于所述凹槽底部的下方，另一部分沿横向扩散至所述凹槽侧壁以外的区域；在所述凹槽的侧壁上分别形成栅极侧墙；在所述栅极侧墙之间的凹槽表面上形成栅极介电层；在所述栅极侧墙和栅极介电层围成的收容空间内形成栅极；去除所述绝缘层；在所述栅极侧墙两侧的半导体衬底内，分别形成源极区和漏极区，所述源极区和漏极区与同侧的轻掺杂漏极区相连。