具有浅N+层的薄有源层鱼骨形光敏二极管及其制造方法

摘要

本发明针对于检测器的结构、检测器阵列和检测入射辐射的方法。本发明包括光敏二极管阵列和光敏二极管阵列的制造方法，该光敏二极管提供减少的辐射损耗率、降低的串扰影响、减小的暗电流(电流泄漏)以及提高的应用上的适应性。

主权项

一种制造光敏二极管阵列的方法，该光敏二极管阵列包括：薄有源层基板，至少具有前侧和后侧；多个光敏二极管，一体地形成在该薄有源层基板中以形成所述阵列；多个阳极接触，设置在所述前侧，其中所述方法包括：通过掩模氧化物用第一氧化物层涂覆所述基板的所述前侧和所述后侧；用光致抗蚀剂层涂覆所述基板的所述前侧；用p+光刻掩模对所述基板的所述前侧进行掩模；选择性蚀刻所述基板晶片的所述前侧的所述第一氧化物层，其中该p+光刻掩模用于暴露所述前侧的p+扩散区域，并且完全蚀刻涂覆在所述基板的所述后侧的所述第一氧化物层；在所述基板的所述前侧扩散p+层以形成p+扩散区域；在所述基板的所述前侧施加推进氧化层；用光致抗蚀剂层涂覆所述基板的所述前侧；用n+光刻掩模对所述基板的所述前侧进行掩模以形成至少一个有源区域蚀刻图案；采用所述有源区域蚀刻图案选择性蚀刻所述基板的所述前侧的该光致抗蚀剂层以暴露所述前侧的n+扩散区域；在所述基板的所述前侧扩散n+层以在相邻p+区域之间形成浅n+区域；在所述基板的所述前侧执行推进氧化；用第二氧化物层涂覆所述基板的所述前侧的至少一个暴露表面；用氮化硅层涂覆所述基板的所述前侧；用光致抗蚀剂层涂覆所述基板的所述前侧；采用接触窗口掩模对所述基板晶片的所述前侧进行掩模；采用所述接触窗口掩模选择性蚀刻该基板的该前侧以形成至少一个接触窗口；对所述基板的所述前侧和所述后侧进行金属涂敷，以形成在所述后侧的公用阴极接触；用光致抗蚀剂层涂覆所述基板的所述前侧；以及对所述基板的所述前侧进行掩模以及选择性蚀刻以形成阳极接触，其中所述p+光刻掩模图案在所述基板的所述前侧形成p+鱼骨形图案，该p+鱼骨形图案包括由p+外围框架骨进一步限定的多个p+骨，所述多个p+骨中的最后一个p+骨是所述p+外围框架骨的一部分，所述阳极接触仅连接到每个所述光敏二极管的最后一个p+骨。