发明名称 接触结构、基板、显示装置及接触结构和基板的制造方法
摘要 本发明提供一种在基板(3)上设置的TFT(17)。TFT(17)具备栅极电极(31)、栅极绝缘膜(32)、半导体(33)、源极电极(34)、漏极电极(35)和保护膜(36)。半导体(33)包含金属氧化物半导体,具有与源极电极(34)连接的源极部(33a)、与漏极电极(35)连接的漏极部(33b)、从源极电极(34)和漏极电极(35)露出的沟道部(33c)。在源极部(33a)和漏极部(33b)分别形成有电阻相对较小的导电层(37)。沟道部(33c)中导电层(37)被除去。
申请公布号 CN102884632B 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201180022718.5 申请日期 2011.04.27
申请人 夏普株式会社 发明人 中泽淳
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种接触结构,其特征在于:设置在基板上,所述接触结构包括:栅极线;栅极绝缘膜,其覆盖所述栅极线;第一端子,其位于所述栅极线的附近,设置在所述栅极绝缘膜之上;与所述第一端子连接的第一电极;保护膜,其覆盖所述第一端子和所述第一电极;和第二电极,其设置在所述保护膜之上,使用所述第一端子与所述第一电极连接,所述第一端子包含金属氧化物半导体,所述第一端子具有:第一连接部,其上表面与所述第一电极连接;覆盖部,其在与所述第一电极分开的上表面与所述保护膜相接;和第一露出部,其上表面在所述第一连接部与所述覆盖部之间从所述第一电极和所述保护膜露出,在所述第一连接部和所述第一露出部的各自的上表面部分,形成有电阻相对较小的导电层,所述第二电极与所述第一露出部的上表面相接。
地址 日本大阪府