发明名称 |
用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法 |
摘要 |
本发明提供了一种用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法,包括:利用光阻掩膜对TaN膜层进行刻蚀以形成接触孔,其中在光阻掩膜表面会形成TaN类聚合物;在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理,以部分地去除光阻表面比较难去除的TaN类聚合物以及部分地去除光阻掩膜;在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理,以便完全去除光阻掩膜;在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理,以便去除剩余的TaN类聚合物,其中引入了C类聚合物;在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理,以便去除C类聚合物400;进行湿法清洗,去除聚合物和残留的光阻掩膜。 |
申请公布号 |
CN103420329A |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201310386332.3 |
申请日期 |
2013.08.29 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
张振兴;奚裴;熊磊 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法,其特征在于包括:第一步骤:利用光阻掩膜对TaN膜层进行刻蚀以形成接触孔,其中在光阻掩膜表面会形成TaN类聚合物;第二步骤:在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理,以部分地去除光阻表面比较难去除的TaN类聚合物以及部分地去除光阻掩膜;第三步骤:在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理,以便完全去除光阻掩膜;第四步骤:在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理,以便去除剩余的TaN类聚合物,其中引入了C类聚合物;第五步骤:在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理,以便去除C类聚合物400;第六步骤:进行湿法清洗,去除聚合物和残留的光阻掩膜。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |