发明名称 | MTW型沸石的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种MTW型沸石的制造方法,该方法不使用结构导向剂、且可以廉价地制造MTW型沸石。本发明是一种使包含二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水的反应混合物、与沸石的晶种反应而制造MTW型沸石的方法。所述反应混合物是使用在仅由所述反应混合物合成沸石时,所合成的所述沸石包含MFI型沸石的组成的反应混合物。所述晶种是使用SiO2/Al2O3比为8~50、且不含结构导向剂的β型沸石。以相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分0.1质量%~20质量%的比例添加所述晶种至所述反应混合物中,将添加了所述晶种的所述反应混合物在100℃~200℃下密闭加热。 | ||
申请公布号 | CN103429533A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
申请号 | CN201280006511.3 | 申请日期 | 2012.01.17 |
申请人 | 日本化学工业株式会社;国立大学法人东京大学 | 发明人 | 板桥庆治;上村佳大;大久保达也 |
分类号 | C01B39/42(2006.01)I | 主分类号 | C01B39/42(2006.01)I |
代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
主权项 | 一种MTW型沸石的制造方法,其特征在于:使包含二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水的反应混合物、与沸石的晶种反应,而制造MTW型沸石;所述反应混合物是使用在仅由所述反应混合物合成沸石时,所合成的所述沸石包含MFI型沸石的组成的反应混合物;所述晶种是使用SiO2/Al2O3比为8~50、且不含结构导向剂的β型沸石;以相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分0.1质量%~20质量%的比例添加所述晶种至所述反应混合物中;将添加了所述晶种的所述反应混合物在100℃~200℃下密闭加热。 | ||
地址 | 日本东京江东区龟户9丁目11番1号 |