| 发明名称 | 沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽式功率金氧半场效晶体管，包括基材、多个第一沟槽以及多个第二沟槽；基材具有主动区与耐压区，且所述耐压区环绕主动区；多个第一沟槽位于主动区内；多个第二沟槽位于耐压区内，其中所述第二沟槽分别由主动区侧向外延伸；此外，所述第二沟槽内具有绝缘层与导电材料，且绝缘层位于第二沟槽的内侧表面。据此，本发明沟槽式功率金氧半场效晶体管可通过在耐压区设置第二沟槽，提升崩溃电压，并同时减少耐压设计所需的空间，降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103426906A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210157733.7 | 申请日期 | 2012.05.21 |
| 申请人 | 科轩微电子股份有限公司 | 发明人 | 叶俊莹;李元铭 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 姚垚;项荣 |
| 主权项 | 一种沟槽式功率金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：一基材，具有一主动区与一耐压区，且该耐压区环绕该主动区；多个第一沟槽，位于该主动区内；以及多个具有一绝缘层与一导电材料的第二沟槽，位于该耐压区内，且该多个第二沟槽分别由该主动区侧向外延伸；其中，该绝缘层位于第二沟槽的内侧表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新北市 | ||